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  長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席第25屆中國集成電路制造年會(huì)暨供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)(CICD)高峰論壇，并發(fā)表題為《高性能封裝承載集成電路成品制造技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新》的主題演講。

  鄭力表示，以異構(gòu)異質(zhì)為主要特征，由應(yīng)用驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展的高性能封裝技術(shù)，將引領(lǐng)摩爾定律走向新的篇章。

  高性能封裝重塑集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

  在戈登·摩爾于1965年發(fā)表的提出“摩爾定律”的署名文章中，不僅提出了對(duì)晶體管數(shù)目指數(shù)增長(zhǎng)的預(yù)測(cè)，也預(yù)測(cè)了可以用小芯片封裝組成大系統(tǒng)的集成電路未來技術(shù)發(fā)展方向。

  “基于微系統(tǒng)集成的高性能封裝原本就是摩爾定律的重要內(nèi)容，”鄭力在演講中指出，芯片成品制造發(fā)展到高性能封裝這個(gè)階段，意味著后道成品制造成為集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈中承上啟下的核心環(huán)節(jié)。

  對(duì)于產(chǎn)業(yè)來說，隨著集成電路性能增長(zhǎng)方式從晶體管微縮演進(jìn)至由系統(tǒng)集成驅(qū)動(dòng)，未來集成電路高性能的持續(xù)演進(jìn)將更依賴于微系統(tǒng)集成技術(shù)。Chiplet架構(gòu)下的2.5D/3D封裝和高密度SiP封裝是摩爾定律向前發(fā)展的必經(jīng)之路，也將成為下一代先進(jìn)封裝技術(shù)的必備項(xiàng)和必選項(xiàng)。

同時(shí)，異質(zhì)集成和小芯片也推動(dòng)了設(shè)計(jì)方法變革，STCO(系統(tǒng)/技術(shù)協(xié)同優(yōu)化)成為重要方向，代表了芯片開發(fā)核心從器件集成走向微系統(tǒng)集成的分水嶺。STCO通過系統(tǒng)層面功能分割及再集成，以先進(jìn)高性能封裝為載體，通過芯片、封裝、系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路性能的增長(zhǎng)。

  應(yīng)用創(chuàng)新成就高性能封裝解決方案

  芯片制造步入高性能封裝后，典型應(yīng)用對(duì)于技術(shù)發(fā)展的作用愈發(fā)顯著。鄭力在演講中指出，在高性能封裝主導(dǎo)的未來，不同應(yīng)用將對(duì)芯片和器件成品提出差異性要求。以應(yīng)用驅(qū)動(dòng)提供芯片成品制造服務(wù)，既可以促進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)效率提升，還能促進(jìn)成熟技術(shù)反哺更多應(yīng)用領(lǐng)域。

  例如近年來，以手機(jī)為代表的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推動(dòng)高性能SiP技術(shù)發(fā)展，進(jìn)而促進(jìn)SiP在其它領(lǐng)域的應(yīng)用;大型高性能計(jì)算平臺(tái)促進(jìn)了光電合封(CPO)的應(yīng)用，帶來更多領(lǐng)域中的芯片性能優(yōu)化的可能，都印證了典型應(yīng)用對(duì)于高性能封裝的推動(dòng)效應(yīng)。

  在高性能封裝領(lǐng)域，長(zhǎng)電科技近年來投入了大量資源，并面向高性能計(jì)算等領(lǐng)域推出了Chiplet高性能封裝技術(shù)平臺(tái)XDFOI?。目前XDFOI?的2.5D RDL高性能封裝已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時(shí)長(zhǎng)電科技也在硅轉(zhuǎn)接板、橋接及Hybrid-bonding進(jìn)行技術(shù)布局。

  鄭力表示，高性能封裝承載了芯片成品制造技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新方向，將重塑集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式。長(zhǎng)電科技在推進(jìn)技術(shù)產(chǎn)研發(fā)的同時(shí)，也將不斷深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的實(shí)踐探索，使高性能封裝為整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造更大價(jià)值。