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  SiP技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)(三)——激光輔助鍵合技術(shù)(Laser-Assisted Bonding Technology, 英文簡(jiǎn)稱 LAB)的詳細(xì)解讀。

  鍵合(Bonding)可以將兩個(gè)或多個(gè)材料(或結(jié)構(gòu))結(jié)合成為一體，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可缺少的重要環(huán)節(jié)?？v觀近年高端系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品(尤其是手機(jī)射頻前端模塊)的發(fā)展趨勢(shì)，不難發(fā)現(xiàn)，芯片/基板鍵合(Die-to-Substrate Bonding)技術(shù)及其制程創(chuàng)新可謂是居功至偉。

  一路走來(lái)，從常青樹般的回流焊接(Mass Reflow)技術(shù)，到數(shù)年前異軍突起的熱壓鍵合(Thermal Compression Bonding)技術(shù)，再到最近才開始發(fā)力的激光輔助鍵合(LAB)技術(shù)，先進(jìn)封測(cè)企業(yè)與設(shè)備方案廠商通力合作，緊跟鍵合技術(shù)潮流，可謂“亦步亦趨，不敢相背”。越是在先進(jìn)制程中越需要超精密的鍵合技術(shù)服務(wù)。

  下圖所示為激光輔助鍵合(LAB)和回流焊接(Mass Reflow)技術(shù)之間做的一個(gè)簡(jiǎn)單比較。

  從圖中我們不難看出，回流焊接 MR 技術(shù)容易受到多種限制，包括由于板材變形所引發(fā)的 Non-wet bump、橋接與 ELK 層裂紋等引發(fā)的封裝可靠性問(wèn)題、模具和基板同時(shí)加熱時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題以及老生常談的 CTE 不匹配、高翹曲、高熱機(jī)械應(yīng)力等問(wèn)題。而借助激光輔助粘合(LAB)技術(shù)，我們便可以輕松解決上述限制。LAB 技術(shù)借助紅外(IR)激光源光束均化器，能夠?qū)崿F(xiàn)高升溫速度下的局部加熱。

  從系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)出發(fā)，我們領(lǐng)略了三駕創(chuàng)新馬車雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)與激光輔助鍵合技術(shù)在 SiP 領(lǐng)域所綻放出的別樣風(fēng)采。作為全球知名的集成電路封裝測(cè)試企業(yè)，在系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)電科技為我們帶來(lái)了更多的驚喜。

  通過(guò)近幾年對(duì)封裝技術(shù)的不斷探索，長(zhǎng)電科技已經(jīng)成功將芯片背面金屬化技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)巧妙地整合進(jìn)了同一套 SiP 制程里，并通過(guò)了量產(chǎn)級(jí)別的驗(yàn)證，在散熱性能、EMI 性能、精密鍵合性能、制程的穩(wěn)定性以及整體封裝成本等多個(gè)指標(biāo)之間找到并確定了“完美平衡點(diǎn)”。