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英飛凌與Schweizer合作車用碳化硅解決方案
2023-05-11 372次

  英飛凌和 Schweizer Electronic宣布攜手合作,通過(guò)創(chuàng)新進(jìn)一步提升碳化硅(SiC)芯片的效率。雙方正在開發(fā)一款新的解決方案,旨在將英飛凌的 1200 V CoolSiC? 芯片直接嵌入 PCB 板,以顯著提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,并降低系統(tǒng)總成本。

  

 

  兩家公司的合作已經(jīng)證明了這種新方法的潛力:他們通過(guò)在 PCB 中嵌入一個(gè) 48 V 的 MOSFET 器件,將性能提高了 35%。在這項(xiàng)成果的背后,Schweizer 提供的 p2Pack® 創(chuàng)新解決方案功不可沒(méi),該解決方案支持將功率半導(dǎo)體嵌入到 PCB 中。

  英飛凌科技車規(guī)級(jí)高壓分立器件及芯片產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 Robert Hermann 表示:“將汽車電力電子技術(shù)提升至新水平是我們的共同目標(biāo)。PCB 的低電感設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)快速切換。結(jié)合 1200 V CoolSiC? 器件的領(lǐng)先性能,將芯片嵌入 PCB 板有助于設(shè)計(jì)出高度集成的高能效逆變器,并降低整體系統(tǒng)成本?!?/span>

  

 

  Schweizer Electronic 技術(shù)副總裁 Thomas Gottwald 表示:“借助英飛凌 100% 通過(guò)電氣安全測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)電芯(S-Cell),我們能夠讓 p2Pack制造生產(chǎn)線整體實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量。而 p2Pack 實(shí)現(xiàn)的低電感互連也能夠?yàn)?CoolSiC 芯片的快速開關(guān)特性提供強(qiáng)大支持。兩者結(jié)合可以顯著提升功率轉(zhuǎn)換單元如牽引逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器或車載充電器等的效率和可靠性?!?/span>

 

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開發(fā)。通過(guò)該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開發(fā)工作量。
    2023-10-30 339次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 337次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 371次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車充電站的效率。
    2023-10-12 325次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 396次

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