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無(wú)錫英飛凌半導(dǎo)體
2022-12-12 1704次

  英飛凌科技(無(wú)錫)有限公司

  企業(yè)簡(jiǎn)介

無(wú)錫英飛凌半導(dǎo)體


  歷經(jīng)近26年的發(fā)展,英飛凌科技(無(wú)錫)有限公司已成為英飛凌科技在華最大的制造基地,也是全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。公司主要業(yè)務(wù)包括分立器件、智能卡芯片、功率半導(dǎo)體的封裝測(cè)試,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于能源、安全、消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域。在滿足中國(guó)業(yè)務(wù)需要的同時(shí),還服務(wù)全球其他市場(chǎng),是英飛凌全球的戰(zhàn)略性生產(chǎn)基地之一。

  英飛凌科技是德國(guó)工業(yè)4.0的創(chuàng)始成員與積極踐行者,英飛凌無(wú)錫于2013年開(kāi)始了自動(dòng)化路線圖,以“零缺陷”制造為目標(biāo),實(shí)踐德國(guó)工業(yè)4.0的藍(lán)圖。公司積極探索綠色制造,提高了能源利用的透明度和有效性。2017年,公司成立智能工廠能力創(chuàng)新中心,集合了一支擁有眾多Camstar認(rèn)證工程師的高端人才隊(duì)伍。同年,公司與西安交通大學(xué)成立了智能制造聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,并發(fā)布了《智能制造白皮書(shū)》。2018年,公司成立測(cè)試技術(shù)和創(chuàng)新部,為智能制造人才培養(yǎng)持續(xù)投入巨資。2021年,公司參與編寫(xiě)的“視覺(jué)檢測(cè)的智能制造應(yīng)用通用標(biāo)準(zhǔn)”國(guó)標(biāo)正式發(fā)布,為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的不斷完善貢獻(xiàn)力量。2021年12月,英飛凌半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司成為第一家通過(guò)“兩化融合管理體系A(chǔ)AA級(jí)”評(píng)定的半導(dǎo)體企業(yè)。

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車(chē)電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開(kāi)發(fā)可靠的汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開(kāi)發(fā)。通過(guò)該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開(kāi)發(fā)工作量。
    2023-10-30 339次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 337次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 371次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車(chē)充電站的效率。
    2023-10-12 326次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 396次

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