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英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2022-09-21 1965次


  英飛凌IGBT單管以發(fā)布時間(2013年3月)為界,分為兩套系統(tǒng)。

  一.對于2013年3月前發(fā)布的器件,命名規(guī)則如下圖所示,主要信息包括:

  1.料號:

  Grp1:品牌

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp3:Packgae-封裝形式

  Grp4:Nominalcurrent-標稱電流

  Grp5:Techclass-技術類型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技術)

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-電壓等級

  Grp8:芯片類型.是否為汽車級芯片

  2.激光打標格式:

  單管塑封上會有激光標記,可以說是材料編號“昵稱“或“印字”-用較少的字母來表達豐富的特征。IHW20N120R這個裝置,它封裝上的標志是H20R1203,每個數(shù)字的意義和命名規(guī)則都是一樣的,如下圖所示:

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp4:Nominalcurrent-標稱電流

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-電壓等級


  

  二.設備命名規(guī)則于2013年3月后發(fā)布:

  1.料號:

  Grp1:品牌OPTIMIZATION

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp3:Packgae-封裝形式:封裝形式從6種擴展到11種,包括:TO247-4pin,TO247plus-3pin/4pin,高級絕緣的TO2473pin,以及使用燒結技術TO2633pin。由于新封裝形式層出不窮,說明封裝的第三位將繼續(xù)擴大,不斷創(chuàng)新。

  Grp4:Nominalcurrent-標稱電流

  Grp5:Techclass-技術類型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技術)

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Diode-二極管類型:反并聯(lián)二極管類型(EmCon,rapid1,rapid2)、電流水平是否和IGBT相同,如果相同,則標為fullrated。

  Grp8:OPTIMIZATION-代表著IGBT類型,可以在這套命名規(guī)則中看到IGBT與上一代相比,芯片類型很多,從TRENCHSTOP?2到最新的TRENCHSTOP?7一應俱全。

  Grp絕緣方案:高級絕緣方案:TO2473pin最后一個商品可能有一個字母E,這個字母E代表了最具成本效益的高級絕緣方案。如果省略,則默認為性能最好的高級絕緣方案。

  2.激光打標格式:規(guī)則和上一代也有很大的變化,值得注意的是兩點:

  1.電壓等級(第三位數(shù))不再給出數(shù)字,而是用字母代替。字母和電壓的對應規(guī)則如表1所示。你說看起來沒有規(guī)則?是的,是時候測試你的記憶了。

  2.二極管信息(是否為全電流二極管)在激光打標第四位以上給出,其規(guī)則與上圖中材料編號的命名規(guī)則相同group7。

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