h1_key

當(dāng)前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 行業(yè)資訊>英飛凌>英飛凌Cypress Traveo II汽車MCU
英飛凌Cypress Traveo II汽車MCU
2022-11-02 3624次

  Cypress Traveo II系列是英飛凌專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)的32位MCU。由于在單核Arm Cortex-M4F和雙核Cortex-M7F中內(nèi)置了處理能力和網(wǎng)絡(luò)連接,該系列微控制器的性能可以從400 DMIPS 提高到1500 DMIPS。Traveo II 系列集成了HSM(硬件安全模塊)、用于安全處理的專用 Cortex-M0+,以及滿足FOTA要求的雙存儲(chǔ)體模式嵌入式閃存,因而具有高級(jí)安全功能。該系列MCU還配備了優(yōu)化的軟件平臺(tái),可用于賽普拉斯 AUTOSAR MCAL(微控制器抽象層)、自測(cè)庫(kù)、閃存 EEPROM 仿真以及安全低級(jí)驅(qū)動(dòng)程序,并結(jié)合第三方固件使用。

  Traveo II系列包括入門(mén)級(jí)型號(hào)CYT2B6、CYT2B7、CYT2B9和CYT2BL,以及高性能型號(hào)CYT3BB/4BB和CYT4BF。其中CYT2B9 MCU 專為汽車車身電子設(shè)備而設(shè)計(jì),基于Cortex-M4F內(nèi)核,具有出色的處理能力和網(wǎng)絡(luò)連接性能。

除了CAN FD接口外,該系列還通過(guò)嵌入式CXPI接口提供更高的響應(yīng)和更快的通信速度,是車身控制模塊、暖通空調(diào)和照明的理想選擇。該芯片具有六種電源模式,使ECU能夠最大限度地降低整體功耗且保證安全功能,以實(shí)現(xiàn)安全通信,并在內(nèi)存大小和引腳數(shù)方面具有出色的可擴(kuò)展性。

 

  CYT2B9 32位MCU特性參數(shù)如下:

01.png 

  1. 處理器:160-MHz Arm Cortex-M4F單核,2 MB代碼閃存、128 KB工作閃存和 256 KB SRAM,以及Arm Cortex -M0+;

  2. 連接:多達(dá)8通道CAN FD可實(shí)現(xiàn)更快的通信以增加數(shù)據(jù)帶寬,4通道 CXPI 可實(shí)現(xiàn)更高的響應(yīng)以充分利用廣泛使用的LIN協(xié)議;多達(dá)8通道運(yùn)行時(shí)可重新配置串行通信模塊 (SCB),除了 12 通道 LIN/UART 外,每個(gè)模塊都可配置為 I2C、SPI 或 UART;

  3. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器:高達(dá)64通道、12位,具有3x逐次逼近 ADC (SAR ADC) 單元;

  4. 計(jì)時(shí)器:多達(dá)75通道16位和8通道32位定時(shí)器計(jì)數(shù)器脈沖寬度調(diào)制器 (TCPWM),實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC),事件生成計(jì)時(shí)器;

  5. GPIO:多達(dá)152個(gè)可編程GPIO;

  6. 安全保障:嵌入式 eSHE(增強(qiáng)型安全硬件擴(kuò)展)、HSM(硬件安全模塊)和硬件加速加密引擎(開(kāi)/關(guān)選項(xiàng));用于管理設(shè)備生命周期的一次性可編程保險(xiǎn)絲 (OTP);內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)、共享內(nèi)存保護(hù)單元 (SMPU) 和外設(shè)保護(hù)單元 (PPU) 用于內(nèi)存和外設(shè)保護(hù)支持用于安全調(diào)試的 JTAG 安全性;安全特性:用于存儲(chǔ)器的 ECC、電源電壓和時(shí)鐘。

  7. 溫度范圍:-40~105℃(S級(jí)),-40~125℃(E級(jí))。

 

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開(kāi)發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開(kāi)發(fā)。通過(guò)該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開(kāi)發(fā)工作量。
    2023-10-30 423次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 430次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 450次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車充電站的效率。
    2023-10-12 390次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 460次

    萬(wàn)聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào),優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部