一、TPS5430DDAR介紹
廠商型號(hào):TPS5430DDAR
品牌名稱:TI(德州儀器)
元件類別:DC-DC電源芯片
封裝規(guī)格:SO PowerPAD-8
型號(hào)介紹: 可調(diào)節(jié)電源,24 V 總線,耐熱增強(qiáng)型8 引腳 SOIC
二、TPS5430DDAR概述
TPS5430DDAR是一種高輸出電流PWM轉(zhuǎn)換器,集成了低電阻、高側(cè)N溝道MOSFET?;迳习ㄒ粋€(gè)高性能電壓誤差放大器,在瞬態(tài)條件下提供嚴(yán)格的電壓調(diào)節(jié)精度;欠壓鎖定電路,防止啟動(dòng),直到輸入電壓達(dá)到5.5V;內(nèi)部設(shè)置的緩慢啟動(dòng)電路,用于限制涌入電流;和電壓前饋電路,以改善瞬態(tài)響應(yīng)。使用ENA引腳,停機(jī)電源電流通常降至18mA。其他功能包括有源高使能、過電流限制、過電壓保護(hù)和熱關(guān)機(jī)。為了降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和外部元件數(shù)量,TPS543x反饋回路進(jìn)行內(nèi)部補(bǔ)償。TPS5431旨在通過高達(dá)23 V的電源軌運(yùn)行。TPS5430調(diào)節(jié)包括24 V總線在內(nèi)的多種電源。
TPS5430DDAR是一種3-a降壓(buck)穩(wěn)壓器,帶有集成的高端n溝道MOSFET。TPS5431的工作電壓最高為23 V,TPS5430的工作電壓最高為36 V。這些設(shè)備通過電壓前饋實(shí)現(xiàn)恒頻電壓模式控制,以改善線路調(diào)節(jié)和線路瞬態(tài)響應(yīng)。內(nèi)部補(bǔ)償降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性和外部組件數(shù)量。
集成110-mΩ高壓側(cè)MOSFET支持高效電源設(shè)計(jì),能夠向負(fù)載提供3-A連續(xù)電流。集成高壓側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)偏置電壓由連接自舉到PH引腳的自舉電容器提供。TPS5430DDAR通過集成自舉充電二極管來減少外部組件計(jì)數(shù)。
TPS5430DDAR的默認(rèn)輸入啟動(dòng)電壓通常為5.3 V。ENA引腳可用于禁用TPS5430DDAR,將電源電流降低至18μA。當(dāng)ENA引腳浮動(dòng)時(shí),內(nèi)部上拉電流源啟用操作。TPS5430DDAR包括一個(gè)內(nèi)部慢啟動(dòng)電路,該電路在啟動(dòng)期間減慢輸出上升時(shí)間,以減少?zèng)_擊電流和輸出電壓過沖。最小輸出電壓為內(nèi)部1.221-V反饋基準(zhǔn)。輸出過電壓瞬態(tài)通過過電壓保護(hù)(OVP)比較器最小化。當(dāng)OVP比較器激活時(shí),高壓側(cè)MOSFET關(guān)閉并保持關(guān)閉,直到輸出電壓低于預(yù)期輸出電壓的112.5%。
內(nèi)部逐周期過電流保護(hù)限制集成高側(cè)MOSFET中的峰值電流。對(duì)于連續(xù)過電流故障條件,TPS5430DDAR將進(jìn)入打嗝模式過電流限制。熱保護(hù)可防止設(shè)備過熱。
三、TPS5430DDAR中文參數(shù)/資料
商品分類:DC-DC電源芯片
品牌:TI(德州儀器)
封裝:SO PowerPAD-8
包裝:整包裝
商品標(biāo)簽:汽車級(jí)
功能:降壓
輸出配置:正
拓?fù)洌航祲?
輸出類型:可調(diào)式
輸出數(shù):1
電壓-輸入(最小值):5.5V
電壓-輸入(最大值):36V
電壓-輸出(最小值/固定):1.221V
電壓-輸出(最大值):32.04V
電流-輸出:3A
頻率-開關(guān):500kHz
同步整流器:無
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
基本產(chǎn)品編號(hào):TPS5430
RoHS狀態(tài):符合 ROHS3 規(guī)范
濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無限)
REACH狀態(tài):非 REACH 產(chǎn)品
ECCN:EAR99
HTSUS:8542.39.0001
四、TPS5430DDAR引腳圖、原理圖、封裝圖
TPS5430DDAR引腳圖
TPS5430DDAR電路圖(原理圖)
TPS5430DDAR封裝圖