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  瑞薩與Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導體的下一代關鍵材料)的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務范圍。

Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利

作為碳中和的基石，對高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢，相關產業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協(xié)議。

  瑞薩現(xiàn)目標是利用Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識進一步擴展其WBG產品陣容。GaN是一種新興材料，可實現(xiàn)更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢使客戶的系統(tǒng)具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此，根據行業(yè)研究，GaN的需求預計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。