h1_key

當(dāng)前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 新品資訊>意法半導(dǎo)體>意法半導(dǎo)體LIS2DW12TR:穿戴設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)領(lǐng)域的理想選擇
意法半導(dǎo)體LIS2DW12TR:穿戴設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)領(lǐng)域的理想選擇
2025-03-12 86次

LIS2DW12TR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款超低功耗、高性能三軸MEMS加速度計(jì),屬于“femto”系列,專為對(duì)功耗和體積敏感的便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)。以下從核心特性、技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及開(kāi)發(fā)支持等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹:


一、核心特性


超低功耗

在省電模式下功耗低至50nA,低功耗模式下功耗小于1μA,適合電池供電設(shè)備。
低噪聲性能:低功耗模式下噪聲RMS值僅為1.3mg,高分辨率模式下功耗為90μA,適用于高精度運(yùn)動(dòng)檢測(cè)。


多功能運(yùn)動(dòng)檢測(cè)引擎


支持自由落體檢測(cè)、單擊/雙擊識(shí)別、活動(dòng)/非活動(dòng)檢測(cè)、6D/4D方向檢測(cè)(如縱向/橫向切換)等,通過(guò)中斷信號(hào)快速響應(yīng)事件。
內(nèi)置32級(jí)FIFO緩沖區(qū),可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)以減少主控處理器的干預(yù)。


靈活的配置選項(xiàng)


動(dòng)態(tài)可選量程:±2g、±4g、±8g、±16g,適應(yīng)不同場(chǎng)景需求。
輸出數(shù)據(jù)速率(ODR)范圍:1.6Hz至1600Hz,平衡功耗與性能。


二、技術(shù)參數(shù)


電氣特性

供電電壓范圍:1.62V至3.6V,支持獨(dú)立IO供電。
接口類型:高速I2C/SPI數(shù)字接口,兼容多種主控芯片。


物理特性


封裝:LGA-12超薄封裝,厚度僅0.7mm,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
工作溫度范圍:-40°C至+85°C,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。


其他功能

內(nèi)置自檢功能,可驗(yàn)證傳感器工作狀態(tài)。
集成嵌入式溫度傳感器,支持環(huán)境溫度監(jiān)測(cè)。
高抗震性:可承受10,000g的沖擊,符合RoHS和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景


穿戴設(shè)備與智能手表


用于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)(如步數(shù)計(jì)數(shù)、睡眠質(zhì)量分析)和手勢(shì)控制(如切歌、接聽(tīng)電話)。例如,RedmiWatch3青春版即采用該傳感器實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)檢測(cè)功能。


無(wú)線耳機(jī)與IoT設(shè)備


檢測(cè)佩戴狀態(tài)(如摘下耳機(jī)進(jìn)入低功耗模式)、手勢(shì)交互(單擊/雙擊控制播放)及姿態(tài)感知(如睡眠翻身監(jiān)測(cè))。


工業(yè)與健康監(jiān)測(cè)設(shè)備


振動(dòng)檢測(cè)、跌落報(bào)警及靜止/運(yùn)動(dòng)狀態(tài)判斷,適用于資產(chǎn)追蹤和醫(yī)療設(shè)備。


四、開(kāi)發(fā)支持


ST提供完整的生態(tài)系統(tǒng)以加速開(kāi)發(fā):

硬件工具

STEVAL-MKI109V3開(kāi)發(fā)板:基于STM32F4MCU,支持MEMS傳感器配置與數(shù)據(jù)交互12。
STEVAL-MKI179V1:LIS2DW12專用評(píng)估板,提供最小系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)參考。


軟件工具

UNICO-GUI:圖形化上位機(jī)工具,支持傳感器參數(shù)配置、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)可視化及中斷功能調(diào)試。


五、總結(jié)


LIS2DW12TR憑借其超低功耗、高集成度和多功能檢測(cè)能力,成為穿戴設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)領(lǐng)域的理想選擇。其靈活的配置選項(xiàng)和豐富的開(kāi)發(fā)資源(如ST的硬件套件與軟件工具)進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)門(mén)檻,助力快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品原型開(kāi)發(fā)。

  • 意法半導(dǎo)體STM32N657I0H3Q微控制器深度解析
  • STM32N657I0H3Q是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的高性能ARM Cortex-M55內(nèi)核微控制器(MCU),屬于STM32N6系列中的旗艦型號(hào)。該芯片采用16nm FinFET先進(jìn)制程工藝,主頻高達(dá)800MHz,集成4.2MB連續(xù)SRAM,并融合了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器、圖形處理單元(GPU)及多模態(tài)外設(shè)接口,專為實(shí)時(shí)信號(hào)處理、邊緣AI及復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
    2025-04-30 8次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655X0H3Q微控制器功能深度分析
  • STM32N655X0H3Q基于ARM? Cortex?-M55內(nèi)核設(shè)計(jì),主頻高達(dá)800MHz,并集成Helium矢量處理技術(shù),顯著提升了DSP級(jí)運(yùn)算效率。該技術(shù)通過(guò)單指令多數(shù)據(jù)(SIMD)架構(gòu)優(yōu)化矢量運(yùn)算,在音頻處理、數(shù)字濾波等場(chǎng)景中可實(shí)現(xiàn)超40%的算法加速。
    2025-04-30 9次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655L0H3Q產(chǎn)品綜合介紹
  • STM32N655L0H3Q基于意法半導(dǎo)體最新STM32N6系列設(shè)計(jì),采用16nm FinFET先進(jìn)工藝,搭載Arm Cortex-M55內(nèi)核,主頻高達(dá)800MHz,并集成ArmHelium矢量處理技術(shù),顯著提升了信號(hào)處理能力和指令執(zhí)行效率。其架構(gòu)優(yōu)化使得該芯片在復(fù)雜算法處理、高精度計(jì)算等場(chǎng)景下表現(xiàn)優(yōu)異,例如在工業(yè)控制中可快速響應(yīng)多任務(wù)調(diào)度需求。
    2025-04-30 10次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655A0H3Q:專為邊緣AI應(yīng)用設(shè)計(jì)
  • STM32N655A0H3Q是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的STM32N6系列高性能微控制器旗艦型號(hào),專為邊緣AI應(yīng)用設(shè)計(jì),結(jié)合了傳統(tǒng)MCU的低功耗、高集成度特性與專用AI加速單元的算力優(yōu)勢(shì),成為工業(yè)控制、智能終端及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的革新性解決方案。
    2025-04-30 10次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N6首款?邊緣AI應(yīng)用MCU系列詳解
  • STM32N6系列是意法半導(dǎo)體(ST)推出的首款專為?邊緣AI應(yīng)用?設(shè)計(jì)的高性能微控制器(MCU),采用?MCU+NPU異構(gòu)架構(gòu)?,在低功耗、低成本基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)MPU級(jí)的AI算力。其核心亮點(diǎn)包括: ?先進(jìn)工藝?:基于16nm FinFET工藝,顯著提升能效與集成度。 ?高性能內(nèi)核?:搭載800MHz主頻的Arm?Cortex?-M55CPU,支持?Helium矢量處理技術(shù)?,強(qiáng)化DSP運(yùn)算能力,可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)預(yù)處理與后處理。
    2025-04-30 14次

    萬(wàn)聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào),優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部