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  當今的智能 PMIC 包括可編程上電和斷電順序、外部事件檢測、對可能導致 PMIC 損壞的過電壓和電流條件進行的系統(tǒng)監(jiān)控、故障處理，其中 PMIC 控制系統(tǒng)并防止斷電，以及電池容量預測和電池管理的算法實現(xiàn)，所有這些都在數(shù)字邏輯中實現(xiàn)。根據(jù)最終應用，需要激活部分或全部功能。配置允許為一系列應用程序構建平臺 PMIC，并允許自定義功能。

  PMIC 可通過非易失性存儲器 (NVM) 進行校準和配置，為目標應用提供正確的電壓和功率序列，或為終端系統(tǒng)提供可配置的功能。

  一些 PMIC 在工廠進行過一次校準和配置，對于這些 PMIC 來說，面積利用率高的一次性可編程 (OTP) NVM 是最佳選擇。當 PMIC 在其生命周期內(nèi)預期被校準和重新配置多次時，可以使用多次編程 (MTP) NVM。

  BCD 硅工藝將三種不同工藝技術的優(yōu)勢結合到一個芯片上：雙極用于精確模擬功能，CMOS 用于數(shù)字設計，DMOS 用于電源和高壓元件。這種技術組合為 PMIC 帶來了許多優(yōu)勢：更高可靠性，更少電磁干擾，更小芯片面積。由于這些優(yōu)勢，大多數(shù) PMIC 制造商選擇了 BCD 工藝來制造 PMIC。

  PMIC 可以通過多種方式制造。由于其對成本頗為敏感，因此 PMIC 制造商通常選擇光罩層數(shù)量最少的制造工藝。為了幫助 PMIC 制造商，NVM IP 供應商必須與 PMIC 制造商保持一致，并以同一流程的多個變體提供 IP。NVM 對制造工藝非常敏感，而且必須對 PMIC 制造商所用的器件組合進行硅材料合格認證。

  圖 1：基于反熔絲的 OTP 本質上是安全的，無法判斷該 OTP 是否已編程

  嵌入式 NVM 在 PMIC 中的作用

  PMIC 廣泛用于移動應用，包括智能手機、可穿戴設備、可聽戴設備、筆記本電腦和平板電腦。它們還用于智能電機控制、照明控制和工業(yè)控制應用。

  當今的 PMIC 是智能和可配置的，并且以模塊化方式構建。根據(jù)最終應用和所需的電壓或功率排序，存儲在 NVM 中的可配置固件會針對特定應用自定義 PMIC。當汽車應用中需要頻繁進行固件更新時，可重新編程的 NVM 或 MTP NVM 是最佳選擇。然而，如果固件預期在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)僅被編程一次，則首選 OTP NVM 形式的面積利用率更高的 IP。

  此外，NVM 還用于存儲輸出電壓、電流限制、上電復位延遲、上電延遲、電壓斜坡率、待機模式設置以及電源良好和無效的電源條件設置的值。

由于 PMIC 具有模擬電路，因此在工廠或現(xiàn)場制造后需要進行修整和校準，以使產(chǎn)品準備好用于預期用途。這些設置也存儲在嵌入式 NVM 中。

  為什么不使用晶圓廠提供的電熔絲?

  350nm 和 250nm 等成熟工藝節(jié)點的設計是簡單的電源管理 IC。它們通常是模擬的，幾乎沒有數(shù)字控制邏輯。使用晶圓廠提供的電熔絲來存儲模擬電路的校準信息(高達 2Kb)。在小型容量和成熟工藝節(jié)點處，晶圓廠提供的電熔絲具有較高的面積利用率、可靠性，并能滿足其用途。隨著 PMIC 變得更加智能，引入了更多的數(shù)字控制，并且隨著它們遷移到更高級的工藝幾何尺寸，需要更大的內(nèi)存容量。

電熔絲在更大容量下不具有面積利用率高的優(yōu)勢，并且在產(chǎn)品的整個使用壽命中都存在再增長問題，因此不可靠。電熔絲再增長源于電遷移，導致熔斷的熔絲重新連接，而且隨著時間的推移，會改變存儲的值。此外，電熔絲無法實際用于存儲固件，固件需要 64 – 256Kb 的容量。最后，電熔絲不提供任何安全保障，使得存儲在其中的信息在掃描電子顯微鏡下可見，并且使得這些信息容易受到黑客的攻擊。

  用于高級節(jié)點的 NVM

MTP 和反熔絲 OTP NVM 大約 10 年前就已廣泛投入商業(yè)生產(chǎn)，完全可靠且可擴展。制造 NVM 器件不需要特殊的光罩或工藝步驟。它們在 180nm 和 BCD 工藝中以更小的幾何形狀進入批量生產(chǎn)。隨著 BCD 工藝的縮小，MTP 和反熔絲 OTP 已在高達 55nm 的高級節(jié)點中進行設計。

  NVM 可靠性

在汽車和工業(yè)應用的惡劣環(huán)境中，可靠性是另一個關鍵要求。在高達 150°C 甚至 175°C 的高工作溫度下經(jīng)過適當認證，并經(jīng)過早期故障率測試后，MTP 和反熔絲 OTP NVM 在產(chǎn)品的使用壽命中表現(xiàn)出卓越的可靠性、耐久性和數(shù)據(jù)保留能力。

  NVM 安全性

  反熔絲 OTP NVM 不容易受到試圖通過改變電壓或溫度而發(fā)起的任何被動或侵入性安全攻擊的影響。由于反熔絲 OTP NVM 按照氧化物分解原理運行以表示編程位，因此即使借助掃描電子顯微鏡，也無法在視覺上區(qū)分編程位和未編程位。

  專為 PMIC 應用設計的 MTP 和反熔絲 OTP NVM 可在所有方面提供：經(jīng)濟高效、功耗最低、優(yōu)化編程和擦除周期時間，并在系統(tǒng)啟動時提供快速讀取時間。

  為 PMIC 選擇 NVM 的注意事項

  在選擇晶圓廠進行制造時，PMIC 設計人員首先要考慮以下因素：

  ●終端市場(消費者或汽車)

  ●終端市場的產(chǎn)品要求

  ●工藝節(jié)點的選擇(基于之前的分析)

  ●預計生產(chǎn)量

  ●特定時間范圍內(nèi)所需的預期晶圓

  ●晶圓廠

  為 PMIC 制造商的項目分配晶圓的能力和意愿滿足預期的晶圓價格。

  做出這些決定后，PMIC 制造商開始尋找在選擇的晶圓廠和工藝節(jié)點中可用且合格的 NVM IP。

  選擇 NVM IP 的 4 個最重要的考慮因素是：

  ●產(chǎn)能情況

  ●隨著最近全球對用于 PMIC 的晶圓的需求激增，晶圓廠的產(chǎn)能緊張，PMIC 設計公司正在努力尋找一家半導體制造供應商，該供應商能夠以合理的價格及時提供晶圓分配，以滿足產(chǎn)品增長預測。

  ●總擁有成本

  ●總擁有成本是 IP 采購成本、硅成本以及 NVM 編程成本的總和。

  ●安全性

  ●存儲關鍵電壓和電流值、電源序列以及潛在固件代碼的 NVM 必須安全可靠，才可確保系統(tǒng)的安全性。

  ●可靠性和耐久性

●針對汽車應用的 NVM 必須根據(jù)晶圓廠提供的汽車物理設計套件 (PDK) 來予以設計和驗證，并遵守嚴格的汽車設計指南。

  適用于 PMIC 應用的 DesignWare NVM IP

  DesignWare® MTP NVM IP 和 DesignWare OTP NVM IP 可在標準 CMOS 和 BCD 工藝中提供可擴展且可靠的嵌入式內(nèi)存 NVM 解決方案，而無需額外的工藝或光罩步驟。專利技術提供較小的硅封裝，并優(yōu)化編程和讀取訪問時間。反熔絲 OTP NVM 內(nèi)置的安全功能可防止主動和被動攻擊、篡改、黑客攻擊和反向工程。

  可定制的宏，使在需要安全地存儲修調(diào)、校準和配置信息的 PMIC 應用中實現(xiàn)設計靈活性。

  DesignWare MTP NVM IP 和 DesignWare NVM OTP NVM IP 符合汽車 AEC-Q100 0 級和 1 級溫度標準，可加快 SoC 級開發(fā)，即使在嚴苛的汽車制造環(huán)境中也不例外。它們在多個代工廠和工藝節(jié)點之間可用。

  Synopsys 的 MTP 和反熔絲 OTP NVM IP 已被廣泛應用于各種系統(tǒng)，包括消費和汽車應用中最先進的 PMIC。

  所有系統(tǒng)都需要精心向組件提供電壓和電流，以實現(xiàn)可靠和可預測的功能。PMIC 提供精心控制的電壓和電流，以實現(xiàn)消費、汽車和工業(yè)應用的正常運行。PMIC 是模擬量豐富的設計，需要校準來補償和校正半導體制造的變化。較新的 PMIC 包含越來越多的數(shù)字邏輯，允許針對多個終端應用進行定制和配置。OTP 或 MTP NVM 是存儲校準和配置信息的理想選擇。

  Synopsys DesignWare NVM IP 在標準 CMOS 和 BCD 工藝技術中提供 OTP 和 MTP NVM，無需額外的光罩或工藝步驟。Synopsys 的 MTP 和反熔絲 OTP NVM IP 具有較小的硅片尺寸，其內(nèi)置的安全功能可防止主動和被動攻擊、篡改、黑客攻擊和逆向工程。它們已被廣泛應用于各種系統(tǒng)，涵蓋消費和汽車應用中高度發(fā)達的 PMIC。