h1_key

  一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，盡量詳細(xì)講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)。

  LM2675-5.0的典型應(yīng)用電路

LM2675框圖

  這張圖包含了電源芯片的所有內(nèi)部模塊模塊。我們已經(jīng)理解了BUCK結(jié)構(gòu)。該芯片的主要功能是完成MOS管的驅(qū)動，并通過FB腳檢查導(dǎo)出狀態(tài)，產(chǎn)生環(huán)控PWM驅(qū)動功率MOS管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓或恒流導(dǎo)出。這是一種非同步模式電源，即續(xù)流器件是外部二極管，而不是內(nèi)部MOS管。

  一、基準(zhǔn)電壓

  類似于板級電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源，芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。芯片內(nèi)部的參考電壓又被稱為帶隙基準(zhǔn)電壓，因?yàn)檫@個電壓值和硅的帶隙電壓相近，因此被稱為帶隙基準(zhǔn)。這個值為1.2V左右，如下圖的一種結(jié)構(gòu)：

PN結(jié)的電流和電壓公式：

  可以看出是指數(shù)關(guān)系，Is是反向飽和漏電流(即PN結(jié)因?yàn)樯僮悠圃斐傻穆╇娏?。這個電流和PN結(jié)的面積成正比!即Is->S。

  如此就可以推導(dǎo)出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !

  回到上圖，由運(yùn)放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，這樣可得：I1=△Vbe/R1，而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同，因此電流I1=I2，所以推導(dǎo)出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比!

  回到上圖，由運(yùn)放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，這樣可得：I1=△Vbe/R1，而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同，因此電流I1=I2，所以推導(dǎo)出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比!

  這樣我們最后得到基準(zhǔn)Vref=I2*R2+Vbe2，關(guān)鍵點(diǎn)：I1是正溫度系數(shù)的，而Vbe是負(fù)溫度系數(shù)的，再通過N值調(diào)節(jié)一下，可是實(shí)現(xiàn)很好的溫度補(bǔ)償!得到穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓。N一般業(yè)界按照8設(shè)計(jì)，要想實(shí)現(xiàn)零溫度系 數(shù)，根據(jù)公式推算出Vref=Vbe2+17.2*VT，所以大概在1.2V左右的，目前在低壓領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)小于1V的基準(zhǔn)，而且除了溫度系數(shù)還有電源紋波抑制PSRR等問題，限于水平?jīng)]法深入了。最后的簡圖就是這樣，運(yùn)放的設(shè)計(jì)當(dāng)然也非常講究：

如圖溫度特性仿真：

  二、振蕩器OSC和PWM

  開關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來驅(qū)動功率MOS管，那么自然需要產(chǎn)生振蕩的模塊，原理很簡單，就是利用電容的充放電形成鋸齒波和比較器來生成占空比可調(diào)的方波。

最后詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)圖是這樣的：

  三、誤差放大器

  誤差放大器的作用是為了保證輸出恒流或者恒壓，對反饋電壓進(jìn)行采樣處理。從而來調(diào)節(jié)驅(qū)動MOS管的PWM，如簡圖：

  四、驅(qū)動電路

  最后的驅(qū)動部分結(jié)構(gòu)很簡單，就是很大面積的MOS管，電流能力強(qiáng)。

  五、其他模塊電路

  這里的其他模塊電路是為了保證芯片能夠正常和可靠的工作，雖然不是原理的核心，卻實(shí)實(shí)在在的在芯片的設(shè)計(jì)中占據(jù)重要位置。

  具體說來有幾種功能：

  1、啟動模塊啟動模塊的作用自然是來啟動芯片工作的，因?yàn)樯想娝查g有可能所有晶體管電流為0并維持不變，這樣沒法工作。啟動電路的作用就是相當(dāng)于“點(diǎn)個火”，然后再關(guān)閉。如圖：

  上電瞬間，S3自然是打開的，然后S2打開可以打開M4 Q1等，就打開了M1 M2，右邊恒流源電路正常工作，S1也打開了，就把S2給關(guān)閉了，完成啟動。如果沒有S1 S2 S3，瞬間所有晶體管電流為0。

  2、過壓保護(hù)模塊OVP很好理解，輸入電壓太高時，通過開關(guān)管來關(guān)斷輸出，避免損壞，通過比較器可以設(shè)置一個保護(hù)點(diǎn)。

  3、過溫保護(hù)模塊OTP溫度保護(hù)是為了防止芯片異常高溫?fù)p壞，原理比較簡單，利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設(shè)置保護(hù)點(diǎn)來關(guān)斷輸出。

  4、過流保護(hù)模塊OCP在譬如輸出短路的情況下，通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態(tài)，可以關(guān)斷或者限流。如圖的電流采樣，利用晶體管的電流和面積成正比來采樣，一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一，然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅(qū)動。

  六、恒流源和電流鏡

  在IC內(nèi)部，如何來設(shè)置每一個晶體管的工作狀態(tài)，就是通過偏置電流，恒流源電路可以說是所有電路的基石，帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的，然后通過電流鏡來為每一個功能模塊提供電流，電流鏡就是通過晶體管的面積來設(shè)置需要的電流大小，類似鏡像。

  以上大概就是一顆DC/DC電源芯片LM2675的內(nèi)部全部結(jié)構(gòu)，這只是原理上的基本架構(gòu)，具體設(shè)計(jì)時還要考慮非常多的參數(shù)特性，需要作大量的分析和仿真，而且必須要對半導(dǎo)體工藝參數(shù)有很深的理解，因?yàn)橹圃旃に嚊Q定了晶體管的很多參數(shù)和性能。