h1_key

  在Renesas和RT-Thread工程師協(xié)作下，完成瑞薩Cortex-M內(nèi)核RA產(chǎn)品家族MCU的RT-Thread BSP框架和制作教程發(fā)布，這意味著使用RA MCU(RA2系列、RA4系列、RA6系列)的開發(fā)者可以根據(jù)教程快速制作自己的BSP，使用RT-Thread豐富的組件和軟件包進行產(chǎn)品應用開發(fā)，提高開發(fā)效率。

  RA MCU的RT-Thread BSP結(jié)合了瑞薩電子的靈活配置軟件包(下文簡稱FSP)配置工具，F(xiàn)SP的圖形化工具界面(RASC，RA智能配置器)可以讓使用者可視化地選擇所用的芯片，并配置選用任一引腳、外設，能減輕底層開發(fā)工作量，節(jié)約時間。

  RA MCU的RT-Thread BSP框架不僅大大提高了代碼復用率，降低了BSP的維護成本，而且可以更方便地給開發(fā)者提供更豐富的驅(qū)動文件，讓開發(fā)者可以更容易地找到自己需要的資源。其主要特性如下：

  使用FSP生成的RA模板工程，降低新BSP的添加難度

  通用的驅(qū)動文件，開發(fā)者可以方便地使用所有驅(qū)動

  使用FSP配置工具對芯片外設進行圖形化配置

  每一個BSP主要由兩部分組成，分別是通用驅(qū)動庫、特定開發(fā)板BSP，下面的表格是以CPK-RA6M4的BSP為例：

  為讓開發(fā)者更好地了解RA MCU RT-Thread BSP制作教程和使用過程，本周四(3月31日)晚8點，RT-Thread工程師將會直播講解相關的移植，本次移植將會使用RA2L1開發(fā)板為示例。

  下面對RA MCU產(chǎn)品做簡要介紹，以便開發(fā)者更好地了解RA產(chǎn)品家族MCU，并選擇合適的型號使用。

  RA產(chǎn)品家族MCU

  Renesas Advanced(RA)32位MCU采用Arm® Cortex®-M33、Arm® Cortex®-M23和Arm® Cortex®-M4處理器內(nèi)核，瑞薩 RA 產(chǎn)品家族單片機包括四個系列——已經(jīng)發(fā)布的RA2系列，適用于低功耗應用;RA4系列，適用于需要低功耗、高性能和高安全性的設備;RA6系列，具有卓越的連接性能和安全性能。瑞薩還計劃發(fā)布RA8系列。

  關于瑞薩電子RA MCU產(chǎn)品線路圖可參考如下：

  已經(jīng)發(fā)布的RA2、RA4和RA6系列特色如下：

  RA2系列

  低功耗：基于Arm Cortex-M23內(nèi)核，最高頻率48MHz，擁有高達512KB的閃存和64KB的SRAM。電源電壓范圍為1.6V到5.5V。外設包括全速USB、CAN、24位∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、電容式觸摸感應以及安全功能。

  RA4系列

  高性能和出色的功耗：基于支持TrustZone的Arm Cortex-M33內(nèi)核或Arm Cortex-M4F內(nèi)核構建，最高頻率100MHz。高達1MB的閃存和128KB的SRAM。電壓范圍為1.6V到5.5V。外設包括電容式觸摸感應、段碼式LCD控制器、全速USB、CAN、安全功能以及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和定時器。RA4W1系列器件還額外配備了Bluetooth®低功耗(BLE)5.0。

  RA6系列

  高性能：基于支持TrustZone的Arm Cortex-M33內(nèi)核或Arm Cortex-M4F內(nèi)核。最高頻率240MHz。高達2MB的閃存和640KB的SRAM。電壓范圍為2.7V到3.6V。外設包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、定時器、外部存儲總線、以太網(wǎng)、全速和高速USB、CAN、安全功能、電容式觸摸感應和用于TFT顯示的圖形LCD控制器，以及2D圖形加速引擎。RA6Tx系列器件帶有用于電機控制的增強型外設，如高分辨率PWM定時器或高級模擬模塊。