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在新能源技術蓬勃發(fā)展的今天，SIC MOSFET在充電樁、光伏發(fā)電和工業(yè)設備中的應用變得越來越廣泛。那么，如何選擇高性價比的SIC MOSFET呢？時科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具備哪些獨特的優(yōu)勢？讓我們一起來探討一下。

01、如何選擇SIC MOSFET 

在選擇SIC MOSFET，需要考慮以下幾個關鍵特點和要求：

電壓額定值(VDS)：：

確保MOSFET的漏源電壓高于電路中的最大工作電壓。

電流額定值(ID)：：

根據(jù)應用中的最大負載電流選擇適當?shù)念~定電流，確保在最大負載下安全運行

導通電阻(Rds(on))：

選擇導通電阻低的MOSFET，以減少導通損耗，提高效率。例如，時科的SKSC120N016-T74在VGS=15V,ID=7A時的導通內阻僅為16mΩ。

柵極電荷(Qg)：

低柵極電荷可以降低驅動損耗，提升整體效率。

02、時科SIC MOSFET的優(yōu)勢

高性能： 

高阻斷電壓：時科的SIC MOSFET具備極高的阻斷電壓，遠超傳統(tǒng)SI器件，為系統(tǒng)提供更高的電壓保護。  

低導通損耗：相比普通的SI器件，SIC MOSFET的導通損耗要小得多，且在不同溫度下?lián)p耗變化較小，保證了更穩(wěn)定的性能。 

低能耗：

快速開關速度：由于SIC材料的熱導系數(shù)是SI材料的2.5倍，飽和電子漂移率是SI的2倍，時科的SIC MOSFET可以在更高頻率下高效工作。

低電容設計：時科的SKSC120N016-T74具有較低的電容，進一步減少能耗。

安全可靠： 

易于并聯(lián)和驅動：時科的SIC MOSFET設計便于并聯(lián)使用，并且易于驅動雪崩。  

堅固耐用：具備抗鎖存能力，能夠承受更高溫度，確保長期穩(wěn)定運行。

03、時科SKSC120N016-T74特性

漏源電壓（VDS）： 1200V

連續(xù)漏極電流（ID）：140A

封裝類型：TO-247-4L

閾值電壓（VGS(th））：2.9V

導通電阻（RDS(on)）：在VGS=15V、ID=75A的條件下標準值為16mΩ

04、典型應用

①新能源充電樁時科的SKSC120N016-T74應用在新能源充電樁上可發(fā)揮很多優(yōu)勢,因具有更低的導通電阻和斷態(tài)漏電流，有助于提高充電樁的效率；可以以比硅器件高得多的頻率進行開關，從而減小了電容器和磁性元件的尺寸和重量；具有更低的反向恢復電流和更高的導熱率，能夠承受更高的芯片溫度，降低了散熱要求，從而提高了充電樁的可靠性；SiC MOSFET優(yōu)化了Qg和Coss/Ciss比值，降低了驅動損耗，提升了驅動抗干擾能力，還優(yōu)化了EAS，增強了抗雪崩能力，提高了充電樁在極端條件下的穩(wěn)定性；這些特性使得SiC MOSFET在充電樁上的應用能夠提供更安全高效的充電解決方案，滿足現(xiàn)代電動汽車快速充電的需求。

②光伏發(fā)電時科的SKSC120N016-T74導通電阻和開關損耗小，應用在光伏發(fā)電上，可以提高光伏逆變器的轉換效率；不僅如此，在高溫環(huán)境下仍然具有較高的性能，因此可以在高溫環(huán)境下長時間運行，提高光伏逆變器的可靠性和壽命。而且，SiC MOSFET的體二極管雖然是PN 二極管，但是少數(shù)載流子壽命較短，所以基本上沒有出現(xiàn)少數(shù)載流子的積聚效果，與SBD 一樣具有超快速恢復性能，能夠實現(xiàn)非常小的恢復損耗，同時還預期可以減少因恢復電流而產(chǎn)生的噪音，達到降噪。

③工業(yè)設備工業(yè)設備中往往需要滿足高頻率，損耗小的要求，而時科的SKSC120N016-T74開關速度快，開關損耗小，應用在工業(yè)設備中正好可以解決這些需求。

④用于前級PFC電路選擇SIC MOSFET時需綜合考慮電壓、電流額定值、導通電阻、封裝等關鍵參數(shù)，以確保產(chǎn)品的最佳性能和可靠性。而時科的SKSC120N016-T74憑借其優(yōu)越的參數(shù)表現(xiàn)，成為高性價比解決方案的不二之選。