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  高精度雙向電流檢測(cè)器，可以精確測(cè)量汽車高側(cè)和低側(cè)電流，符合汽車規(guī)格的 ZXCT199Q 電流檢測(cè)器系列由單級(jí)儀表放大器組成，設(shè)計(jì)用在寬廣共模電壓范圍內(nèi)準(zhǔn)確測(cè)量非常小的感應(yīng)電壓。其產(chǎn)品應(yīng)用包括汽車馬達(dá)控制、充電及電池充電設(shè)備 (BCE) 應(yīng)用中負(fù)載/電軌電流的電流檢測(cè)。

  ZXCT199Q 系列的低補(bǔ)償電壓具有零點(diǎn)漂移 (zero-drift) 架構(gòu)，使其能在分流電阻器兩端實(shí)現(xiàn)最大壓降的電流感測(cè)，達(dá)到低至 10mV 滿刻度，從而允許使用小值感測(cè)電阻器監(jiān)測(cè)大電流。

  ZXCT199Q 系列工作電源范圍介于 2.7V 至 26V 之間，最大供電電流為 100μA，共模電壓不受其供電電壓影響。

  所有版本均已通過 AEC-Q100 grade 1 認(rèn)證，支持 -40°C 至 +125°C 溫度范圍，并采用非常小的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT363 封裝。

  使用低值感測(cè)電阻器時(shí)，補(bǔ)償電壓低至 80μV，可將誤差降至最低

  增益誤差低至 0.8% 可在溫度和共模 (Common-Mode) 電壓范圍內(nèi)保持準(zhǔn)確的增益控制

-0.1 至 26V 寬廣共模電壓范圍可準(zhǔn)確測(cè)量高側(cè)和低側(cè)電流，包括短路負(fù)載

  產(chǎn)品封裝：SOT363

  符合汽車規(guī)格的比率 (Ratiometric) 線性霍爾效應(yīng)傳感器

  AH49FQ是一款符合 AEC-Q100 grade 2規(guī)范及汽車規(guī)格的比率線性霍爾效應(yīng)傳感器，支持 -40°C 至 +105°C 的環(huán)境溫度。

  裝置的供電范圍介于 3V 至 8V 之間，最大磁場(chǎng)感應(yīng)范圍為 ±800G，適合許多汽車產(chǎn)品應(yīng)用。

  AH49FQ 通過低噪聲輸出提供了改良的溫度穩(wěn)定性與準(zhǔn)確性，無需額外的外部濾波組件。

  AH49FQ 對(duì)人體模型 (HBM) 的 ESD 額定值為 3kV，對(duì)充電裝置模型 (CDM) 的 ESD 額定值為 2kV，提高了耐用性。

  低功率線性霍爾傳感器：在 VCC=5V 時(shí)提供 3mA 供電電流以提高能源效率

  操作電壓范圍為 3V 至 8V

±19% 的 2.1mV/G 高靈敏度

  產(chǎn)品封裝：SC59

  采用 TO247-4 封裝的碳化硅蕭特基 (SiC) 1200V MOSFET 有助于提高功率密度

  DMWS120H100SM4 是一款 1200V、符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 N 通道 MOSFET，是首款以采用 TO247-4 封裝的碳化硅 (SiC) 芯片材料發(fā)布的產(chǎn)品。

  它可以讓工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、光伏能源系統(tǒng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器，還有數(shù)據(jù)中心和電信中心，能夠以高功率密度和高效率的方式使用電源。

  這款裝置的低 RDS(ON)，加上 15V 閘極驅(qū)動(dòng)時(shí) 52nC 的低 Qg，可提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的工作效率，同時(shí)確保維持最低功耗。

  低 RDS(ON) 與 Qg 將導(dǎo)通和切換損耗降至最低

  低至 0.6°C/W 的 RthJC ，讓汲極電流最高可達(dá) 37.2A

額外的凱氏感測(cè) (Kelvin-sensing) 接腳

  產(chǎn)品封裝：TO247-4

  650V 及 1200V 碳化硅蕭特基勢(shì)壘二極管 (SiC SBD) 提高了高功率系統(tǒng)的效率

  我們的寬能隙 (wide-bandgap) 碳化硅 (SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管 (SBD) 共有兩個(gè)系列：

  o DSCxxA065 系列，額定電壓/電流為 650V 4A 至 10A

  o DSCxx120 系列，額定電壓/電流為 1200V 2A 至 10A

  兩個(gè)系列均適合用于高效的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 轉(zhuǎn)換產(chǎn)品應(yīng)用，包括光伏逆變器、不斷電系統(tǒng)、工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，以及需要進(jìn)行功率因子校正 (PFC) 的脫機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用。

  這些 SiC 裝置與一般硅基快速恢復(fù)整流器不同，由于低電容電荷 (Qc) 的特色，其切換損耗幾乎可以忽略不計(jì)。這使得它們適用于高速切換產(chǎn)品應(yīng)用，有利于提高功率密度及縮小解決方案總尺寸的電路設(shè)計(jì)。

  其低正向電壓 (VF) 可將傳導(dǎo)損耗降至最低，進(jìn)一步提升整體功率效率。該裝置優(yōu)異的功率效率降低了冷卻組件預(yù)算又提高了可靠性。

  SiC SBD 將損耗程度降至最低，提高系統(tǒng)功率效率并降低成本

  高切換速度提高了功率密度，縮小系統(tǒng)尺寸

  產(chǎn)品封裝：表面黏著 TO252-2、通孔 TO220AC 和 ITO220AC