h1_key

當前位置:首頁 >新聞資訊 > 技術文章>安世>安世為汽車A/V接口提供ESD保護
安世為汽車A/V接口提供ESD保護
2023-02-21 615次

  駕駛員和車輛現(xiàn)在越來越依賴高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。在車輛的ADAS中,雖然雷達和激光雷達等系統(tǒng)的使用非常重要,但其高度依賴高質量的視頻圖像。隨著車輛自動化程度不斷提高,這些視頻流質量的重要性日益凸顯。從設計方面來看,高速視頻鏈接設計需要考慮如何在惡劣的環(huán)境下,保持所需的信號完整性。

  一些汽車已經配備了可以自動識別道路標志,或是檢測汽車偏離車道的系統(tǒng)。到目前為止,這些功能只能使用車輛內部和周圍的視頻傳感器加以實現(xiàn)。

  盡管視頻數(shù)據在汽車領域的使用和重要性與日俱增,但仍然缺少全球公認的標準來定義視頻數(shù)據在車輛周圍共享的方式。制造商將自行選擇自己偏好的解決方案。其中包括專有標準,例如APIX、GSML和FPD-Link,分別支持6 Gbit/s、10 Gbit/s和13 Gbit/s速度。此外,速度高達1 Gbit/s的汽車級以太網的使用也與日俱增。

  隨著帶寬和分辨率需求不斷提高,車輛中使用的平均視頻鏈接數(shù)量也將增加。不久前還適用于倒車攝像頭的標準清晰度,將被高清晰度、高幀率的傳感器所取代,從而在高速行駛時進行高分辨率圖像捕獲。


  保持信號完整性是重中之重

  從設計方面來看,高速視頻鏈接設計需要考慮如何在惡劣的環(huán)境下,保持所需的信號完整性。視頻數(shù)據路徑中添加的每個組件都會引入損耗,這將影響同軸電纜的選擇、連接器的質量,以及信號如何路由到鏈接的物理接口(PHY)。保持信號完整性是重中之重,但仍需要通過增加適當級別的保護,防止?jié)撛诘腅SD脈沖和故障條件(例如電池軌短路)。接口還需要承受高達10kV的瞬態(tài)電壓。必須仔細考慮與所用保護器件相關的插入電容的影響,以便在不影響信號完整性的前提下提供保護。

  例如,過去的建議是將ESD器件盡可能靠近PHY,以保護IC。這一建議早已更改,現(xiàn)在ESD保護的首選位置是將保護放置在盡可能靠近連接器的位置。這通常意味著,ESD器件現(xiàn)在位于隔直電容的連接器側,如圖1所示。如果使用可選的共模扼流圈(CMC),這也意味著將ESD器件從PHY側移動到CMC的連接器側。


 

  那么,為什么要改變之前的方法呢?原先的位置靠近PHY,很明顯ESD器件旨在保護PHY的敏感電子電路。為了做到這一點,靜電沖擊需要通過隔直電容和CMC。在這個位置,能夠將與ESD保護相關的插入損耗降到最低。但很明顯,電路的其他組件和部分無法受到保護。


  ESD保護的最佳位置是什么?

  從技術角度來看,ESD保護的最佳位置實際上應盡可能靠近連接器。這樣一來,ESD可以將ESD脈沖鉗位到地,同時仍與電路保持物理距離,尤其是與PHY本身。這就是為什么汽車行業(yè)的一些規(guī)范,例如開放技術聯(lián)盟特別利益集團(SIG)提出的規(guī)范,現(xiàn)在建議ESD保護應更接近ESD脈沖進入PCB的點。其目的是根據系統(tǒng)的需要,而不是為某個特定組件提供ESD保護。圖2顯示了ESD器件位置的變化。


駕駛員和車輛現(xiàn)在越來越依賴高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。在車輛的ADAS中,雖然雷達和激光雷達等系統(tǒng)的使用非常重要,但其高度依賴高質量的視頻圖像。隨著車輛自動化程度不斷提高,這些視頻流質量的重要性日益凸顯。從設計方面來看,高速視頻鏈接設計需要考慮如何在惡劣的環(huán)境下,保持所需的信號完整性。   一些汽車已經配備了可以自動識別道路標志,或是檢測汽車偏離車道的系統(tǒng)。到目前為止,這些功能只能使用車輛內部和周圍的視頻傳感器加以實現(xiàn)。   盡管視頻數(shù)據在汽車領域的使用和重要性與日俱增,但仍然缺少全球公認的標準來定義視頻數(shù)據在車輛周圍共享的方式。制造商將自行選擇自己偏好的解決方案。其中包括專有標準,例如APIX、GSML和FPD-Link,分別支持6 Gbit/s、10 Gbit/s和13 Gbit/s速度。此外,速度高達1 Gbit/s的汽車級以太網的使用也與日俱增。   隨著帶寬和分辨率需求不斷提高,車輛中使用的平均視頻鏈接數(shù)量也將增加。不久前還適用于倒車攝像頭的標準清晰度,將被高清晰度、高幀率的傳感器所取代,從而在高速行駛時進行高分辨率圖像捕獲。   保持信號完整性是重中之重   從設計方面來看,高速視頻鏈接設計需要考慮如何在惡劣的環(huán)境下,保持所需的信號完整性。視頻數(shù)據路徑中添加的每個組件都會引入損耗,這將影響同軸電纜的選擇、連接器的質量,以及信號如何路由到鏈接的物理接口(PHY)。保持信號完整性是重中之重,但仍需要通過增加適當級別的保護,防止?jié)撛诘腅SD脈沖和故障條件(例如電池軌短路)。接口還需要承受高達10kV的瞬態(tài)電壓。必須仔細考慮與所用保護器件相關的插入電容的影響,以便在不影響信號完整性的前提下提供保護。   例如,過去的建議是將ESD器件盡可能靠近PHY,以保護IC。這一建議早已更改,現(xiàn)在ESD保護的首選位置是將保護放置在盡可能靠近連接器的位置。這通常意味著,ESD器件現(xiàn)在位于隔直電容的連接器側,如圖1所示。如果使用可選的共模扼流圈(CMC),這也意味著將ESD器件從PHY側移動到CMC的連接器側。    圖1.ESD的放置選項   那么,為什么要改變之前的方法呢?原先的位置靠近PHY,很明顯ESD器件旨在保護PHY的敏感電子電路。為了做到這一點,靜電沖擊需要通過隔直電容和CMC。在這個位置,能夠將與ESD保護相關的插入損耗降到最低。但很明顯,電路的其他組件和部分無法受到保護。   ESD保護的最佳位置是什么?   從技術角度來看,ESD保護的最佳位置實際上應盡可能靠近連接器。這樣一來,ESD可以將ESD脈沖鉗位到地,同時仍與電路保持物理距離,尤其是與PHY本身。這就是為什么汽車行業(yè)的一些規(guī)范,例如開放技術聯(lián)盟特別利益集團(SIG)提出的規(guī)范,現(xiàn)在建議ESD保護應更接近ESD脈沖進入PCB的點。其目的是根據系統(tǒng)的需要,而不是為某個特定組件提供ESD保護。圖2顯示了ESD器件位置的變化。    圖2.ESD保護器件的物理位置已更靠近連接器   將ESD器件移近連接器能夠為更多電路提供保護,但由于它靠近連接器的端子,還會產生其他影響。這些影響將決定汽車工程師在實現(xiàn)高速接口(例如視頻連接)時所做的設計選擇。這些選擇與ESD器件引入的電容,以及這會如何影響當前數(shù)字信號的上升/下降時間有關。   此外,由于ESD保護器件現(xiàn)在更接近“外部世界”,因此將面臨截然不同的威脅。這包括電纜上的潛在故障,可能會導致信號和電源軌之間短路。在汽車環(huán)境中,這意味著ESD器件需要承受其端子間至少12V的短路,而不會出現(xiàn)故障。如果ESD器件放置在CMC和隔直電容后,這一要求也無需考慮了。圖1包括可用于任一位置的器件選擇,突出顯示了不同的反向關態(tài)電壓(VRWM)。   仿真對于現(xiàn)代汽車設計至關重要   在汽車設計中,仿真在項目概念階段的重要性正日益凸顯。Nexperia深諳于此,并支持ESD事件本身的仿真和SI仿真??梢允褂酶咝У南到y(tǒng)級ESD設計(SEED)模型,對ESD保護器件進行評估。   使用SEED方法的仿真同時考慮接口與電路的其余部分。模型基于等效電路來表示PHY、CMC和隔斷電容??梢詫SD保護的靜態(tài)和動態(tài)行為進行建模。 使用SEED仿真和模型,設計工程師可以測試自己的ESD電路設計選擇,然后根據結果選擇合適的ESD保護器件,即使在概念階段也是如此。Nexperia已使用這種方法來表征其ESD保護器件,并分析它們如何抵抗受控靜電放電引起的初始電流和殘余電流。Nexperia還為其所有ESD保護器件提供散射參數(shù)數(shù)據,包括用于高速接口的器件,尤其是視頻鏈接。設計工程師可使用散射參數(shù),對其獨立系統(tǒng)進行SI仿真。

圖2.ESD保護器件的物理位置已更靠近連接器


  將ESD器件移近連接器能夠為更多電路提供保護,但由于它靠近連接器的端子,還會產生其他影響。這些影響將決定汽車工程師在實現(xiàn)高速接口(例如視頻連接)時所做的設計選擇。這些選擇與ESD器件引入的電容,以及這會如何影響當前數(shù)字信號的上升/下降時間有關。

  此外,由于ESD保護器件現(xiàn)在更接近“外部世界”,因此將面臨截然不同的威脅。這包括電纜上的潛在故障,可能會導致信號和電源軌之間短路。在汽車環(huán)境中,這意味著ESD器件需要承受其端子間至少12V的短路,而不會出現(xiàn)故障。如果ESD器件放置在CMC和隔直電容后,這一要求也無需考慮了。圖1包括可用于任一位置的器件選擇,突出顯示了不同的反向關態(tài)電壓(VRWM)。


  仿真對于現(xiàn)代汽車設計至關重要

  在汽車設計中,仿真在項目概念階段的重要性正日益凸顯。Nexperia深諳于此,并支持ESD事件本身的仿真和SI仿真??梢允褂酶咝У南到y(tǒng)級ESD設計(SEED)模型,對ESD保護器件進行評估。

  使用SEED方法的仿真同時考慮接口與電路的其余部分。模型基于等效電路來表示PHY、CMC和隔斷電容。可以對ESD保護的靜態(tài)和動態(tài)行為進行建模。 使用SEED仿真和模型,設計工程師可以測試自己的ESD電路設計選擇,然后根據結果選擇合適的ESD保護器件,即使在概念階段也是如此。Nexperia已使用這種方法來表征其ESD保護器件,并分析它們如何抵抗受控靜電放電引起的初始電流和殘余電流。Nexperia還為其所有ESD保護器件提供散射參數(shù)數(shù)據,包括用于高速接口的器件,尤其是視頻鏈接。設計工程師可使用散射參數(shù),對其獨立系統(tǒng)進行SI仿真。

  • 安世半導體IGBT模塊賦能馬達驅動應用
  • Nexperia(安世半導體)的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力,實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 406次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場強比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 459次
  • 安世半導體IGBTs高功率帶來更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時日,事實上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產品。從那時起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應用的主要器件,包括供暖通風與空氣調節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及,市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求,并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術產品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導體)正在推出多個 IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 376次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是,與硅快速恢復二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導體)如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起,以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 393次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽車以太網
  • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓撲結構,汽車以太網用法靈活,并能顯著提高數(shù)據速率(與傳統(tǒng)的 CAN HS/FD 相比),因此能夠橋接各種復雜的通信域,如圖1所示。這一特性進一步強化汽車以太網在未來車載數(shù)據通信架構中的作用,而在未來,ADAS、信息娛樂系統(tǒng)和動力系統(tǒng)等關鍵應用將在汽車領域內顯著增長。
    2023-04-27 1541次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復
    返回頂部