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Nexperia安世超緊湊晶圓級(jí)MOSFET管
2023-02-21 553次


Nexperia安世超緊湊晶圓級(jí)MOSFET管


  DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應(yīng)用中節(jié)省電力并簡(jiǎn)化散熱管理

  Nexperia安世推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。

  新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿(mǎn)足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

  RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶(hù)舒適度。

  具體而言，在VGS =4.5V時(shí)，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場(chǎng)上類(lèi)似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(hù)(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

  除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。

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