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  國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體替代化進(jìn)程中，國(guó)產(chǎn)廠商基本分為兩個(gè)陣營(yíng);一方是借助并購快速跌身到一線龍頭，另一方則是避開與巨頭直接沖突，積累優(yōu)勢(shì)在逐步追趕。而兆易創(chuàng)新的核心攻略是利基戰(zhàn)略，在整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)中，存儲(chǔ)芯片占比1/3，主要是DRAM芯片、NAND閃存和NOR閃存，三者的占比分別是56%、41%和2%。

  兆易創(chuàng)新的NOR閃存存儲(chǔ)芯片占比(70%)，DRAM占比18%，其它小部分為NAND 閃存。在歷史市場(chǎng)占率看，兆易創(chuàng)新公司NOR閃存全球市占率從2012年3.4%提升至2021年23%，排名全球第三。相對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，NOR閃存屬于利基市場(chǎng)，目前占據(jù)了不錯(cuò)的市場(chǎng)份額，但是如果要尋求增長(zhǎng)，則需拓寬品類。兆易創(chuàng)新采取兩步走：一則是在2013年進(jìn)入MCU市場(chǎng)，二是在2020年投資合肥長(zhǎng)鑫，以代銷加自研并行的方式，切入到市場(chǎng)更大的DRAM空間市場(chǎng)，這次依然是選擇了利基產(chǎn)品(從主流規(guī)格中退役的產(chǎn)品，目前DDR3及以下都屬于利基產(chǎn)品)。但是因?yàn)?/span>DRAM的市場(chǎng)規(guī)模是NOR閃存的30倍，DRAM利基市場(chǎng)的規(guī)模約90億美元，而NOR閃存的市場(chǎng)規(guī)模只有不足30億美元。

  NOR閃存的產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)是產(chǎn)品是制程和容量，目前的制程基本是較為成熟的45nm，主流制程仍停留在55nm。而兆易創(chuàng)新的55nm工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)全線量產(chǎn)了，2022年中55nm的出貨量接近70%，并且在推進(jìn)45nm的制程工藝研發(fā)。兆易創(chuàng)新的業(yè)務(wù)發(fā)展攻略是：避開與國(guó)際大廠的競(jìng)爭(zhēng)，選擇利基市場(chǎng)，市場(chǎng) 份額穩(wěn)步提升，在中低端市場(chǎng)已經(jīng)是國(guó)產(chǎn)廠商的龍頭，但在國(guó)際高端市場(chǎng)，仍需要突破。

  為了平滑存儲(chǔ)芯片的業(yè)務(wù)周期，兆易創(chuàng)新選擇了MCU作為產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)主力，MCU又稱單片機(jī)，是將cpu的頻率和規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將存儲(chǔ)器、定時(shí)器、計(jì)算器、驅(qū)動(dòng)及各種輸入輸出接口集成在單一芯片上，形成的芯片級(jí)計(jì)算機(jī)。自從2013年產(chǎn)品推出，兆易創(chuàng)新的MCU是內(nèi)部業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)最快的產(chǎn)品線。兆易創(chuàng)新的MCU制作工序源兩種;一種是主流的eFlash(嵌入式內(nèi)存)，需借助臺(tái)積電代工，另一種是系統(tǒng)級(jí)封裝模塊(Sip)的方式，不需要代工廠就可以快速生產(chǎn)。而借助第二種工藝，兆易創(chuàng)新的MCU板塊在缺芯潮背景下實(shí)現(xiàn)快速放量。 但是快速增長(zhǎng)是不可持續(xù)的，加上封裝形式的制作工藝，性能相對(duì)較低，產(chǎn)品只能用于可穿戴設(shè)備、家庭安防等消費(fèi)領(lǐng)域。后續(xù)兆易創(chuàng)新新品問世，在2021年推出電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片和電源管理芯片，2022年wifiMCU也開始批量出貨，充了無線MCU品類，使MCU業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)。

  在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新公司遵循利基戰(zhàn)略，避開激烈競(jìng)爭(zhēng)的高端市場(chǎng)，在NOR閃存存儲(chǔ)芯片站穩(wěn)腳步后切入到DRAM內(nèi)存，未來增長(zhǎng)重點(diǎn)關(guān)注車用DRAM。存儲(chǔ)芯片和MCU并不是完全割裂的，兩者都是物聯(lián)網(wǎng)芯片的核心組成部分，公司更長(zhǎng)遠(yuǎn)的業(yè)務(wù)布局是在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。