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  作為世界領先的功率分離和模塊半導體供應商之一，安森美開發(fā)了20多個光伏和儲能線路IGBT/IGBTSiCHybrid模塊商品，功率覆蓋5kW～300kW(截至2022年6月)，能效高、功率密度高、可靠性高，配合相應的門極驅動、計算放大器等商品，充分滿足家庭、工業(yè)、光存儲一體化系統和大型電站的需求，輔以各種參考設計開發(fā)工具和現場應用支持，幫助客戶處理設計挑戰(zhàn)，促進行業(yè)發(fā)展。

  針對光伏逆變器市場對1500 V母線，最大并網功率350 kW組串機型的需求，安森美推出了三款直流升壓模塊(對稱拓撲和飛跨電容拓撲)，NXH800A100L4Q2F2S1/2G一款交流逆變模塊(雙拼ANPC拓撲)。針對1500 V母線儲能逆變器市場，安森美推出了INPC拓撲模塊NXH350N100H4Q2F2S1G：三相最大功率200-250 kW(雙向功率pf=1和-1)。這些方案都提供高能效、高功率密度且具成本優(yōu)勢。

  碳化硅(以下簡稱“SiC“)是很熱門也很重要的技術，安森美在這個領域有著深厚的歷史積淀，是少數具有垂直整合能力的SiC方案供應商之一，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。寬廣的SiC功率器件陣容包括650/1200/1700 V SiC二極管、650/900/1200 V SiC MOSFET、集成IGBT和SiC二極管的混合模塊、全SiC模塊，滿足客戶各種不同的尺寸、成本和能效要求。

  公司持續(xù)提升并拓展第三代半導體功率器件在光伏、儲能應用, IGBT和SiC二極管混合模塊產品已經廣泛地使用，未來會發(fā)展更多SiC-MOSFET模塊產品。

  經過市場的考驗，在安森美的智能電源產品體系當中誕生了眾多明星產品系列：

  APM32系列汽車碳化硅功率模塊

  APM32系列是把尖端前沿的碳化硅技術和同類最佳的壓鑄模封裝相結合的行業(yè)首創(chuàng)產品，可提高能效并縮短電動車的充電時間，專用于11 kW到22 kW的大功率車載充電器和高壓DC-DC轉換。 

APM32使電動車充電更快和續(xù)航里程更遠，這是消費者極為看重的兩個關鍵因素。設計人員采用預配置的APM32模塊格式，能夠更快地配置他們的設計，大大縮短上市時間和降低設計風險。APM32也為客戶提供差異化的解決方案。

  汽車主驅碳化硅功率模塊

  VE-Trac Direct SiC

  主驅逆變是電動車電氣系統的關鍵，直接影響電動車的能效、性能和續(xù)航能力。

  VE-Trac?Direct SiC系列是單面水冷碳化硅功率模塊，在性能、能效和質量方面達到了新的水平，解決了電動車主驅逆變器的設計挑戰(zhàn)，將電池能量轉換為大的扭矩和加速，使電動車的續(xù)航里程更長、能效更高、加速更快。

具有標準化的機械尺寸和擴展的額定功率，設計人員采用該系列模塊可輕松擴展電動車的功率輸出，加速電動/混動車的采用。

  高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681

  NCP1681為需要滿足具有挑戰(zhàn)性的能效標準，如“80Plus”或“CoC Tier 2”等在寬負載范圍都需要達到高能效標準的應用場合提供有效解決方案，同時減少設計時間和成本，在高壓輸入下，NCP1681圖騰柱功率因數校正(以下簡稱“PFC”)方案的能效將達近99%。

NCP1681專用于無橋圖騰柱PFC拓撲結構，將非數字類控制圖騰柱PFC設計的優(yōu)勢擴展到kW功率，目標應用是超高密度大功率離線電源，包括服務器電源、高性能計算機電源、通訊電源、工業(yè)電源和OLED電視電源等應用。

  首款TOLL封裝的 650 V SiC MOSFET

  NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用于要求嚴苛的應用，包括開關電源(SMPS)、服務器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和儲能。

  該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標準的設計，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標準，滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。

  TOLL封裝的尺寸僅為9.90 mmx11.68 mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且，它的厚度只有2.30 mm，比D2PAK封裝的體積小60%。

  為滿足市場對SiC不斷增長的需求，安森美大力擴建SiC工廠，公司位于美國新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的SiC 工廠，將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在捷克共和國Roznov擴建的SiC 工廠，將在未來兩年內將SiC晶圓產能提高16倍，致力為客戶提供關鍵的供應保證。